Pamięci NOR FLASH o jednakowej strukturze sektorów i dostępie równoległym firmy

Wszystkie układy spełniają normę RoHS

Wybrane właściwości:

   * interfejs: równoległy;
   * pojemność: 1, 4, 8 Mbit;
   * organizacja: 128k x 8, 512k x 8, 1024k x 8;
   * czas dostępu: 55, 70, 90, 120 ns;
   * napięcie zasilania: 4.5÷5.5 V;
   * pobór prądu:
          podczas odczytu: 12, 20, 25 mA (1Mb, 4Mb, 8Mb)
          podczas kasowania/zapisu: 30mA
          w trybie standby: 1 µA
   * okres niezmienności danych umieszczony w pamięci (dla temp. 125°C): 20 lat;
   * dopuszczalna liczba cykli programowania / kasowania: 1000000;
   * możliwość wstrzymania i wznowienia operacji kasowania;
   * możliwość zabezpieczenia sektora przed zapisem / kasowaniem;
   * temperatura pracy: 0÷70°C, -40÷85°C;
   * dostępne w obudowach: PLCC32, PDIP32 i TSOP40.

Polecamy rownież z magazynu pamięci FLASH o pojemności 512Kbit i 2Mbit firmy ATMEL

AT29C512-70JU - PLCC32 512Kbit (64k x 8bit), 70ns, 5V, -40÷85°C;

AT29C512-90JU - PLCC32 512Kbit (64k x 8bit), 90ns, 5V, -40÷85°C;

AT29C020-70JU - PLCC32 2Mbit (256k x 8bit), 70ns, 5V, -40÷85°C;

AT29C020-90JU - PLCC32 2Mbit (256k x 8bit), 90ns, 5V, -40÷85°C;

AT29C020-90TU - TSOP32 2Mbit (256k x 8bit), 90ns, 5V, -40÷85°C;

Pełna oferta katalogowa pamięci FLASH

[ katalog on - line ]

Pamięci FLASH stanowią odmianę pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) – pamięci nieulotnych tylko o odczytu (ROM) programowanych i kasowanych elektrycznie. Pamięci typu ROM używane są wszędzie tam, gdzie istotny jest szybki odczyt i trwały zapis, natomiast mniej ważnym aspektem jest szybkość kasowania i zapisu. Służą one najczęściej do przechowywania programu obsługi urządzeń oraz parametrów.

Dzięki uproszczonej budowie komórki pamiętającej pamięci FLASH cechują się dużą gęstością upakowania komórek (jak pamięci typu EPROM). Podobnie jak pamięci EEPROM FLASH można programować w układzie docelowym, natomiast proces kasowania jest znacznie szybszy w porównaniu z pamięcią EEPROM ze względu na kasowanie całego bloku, a nie pojedynczych bajtów.

Pierwsze produkowane pamięci FLASH wymagały kasowania całej zawartości przed ponownym ich zaprogramowaniem. Dane w pamięci AM29F010/040/080 podzielone są na sektory (o jednakowej strukturze i pojemności), dzięki czemu możliwe jest kasowanie ich pojedynczo lub wielu jednocześnie. Przykładowo pamięć AM29F040B zawiera 8 sektorów o pojemności 64KB każdy.

SPANSION oferuje także pamięci z wyszczególnionymi sektorami (boot-sectored) w których pierwszy lub ostatni sektor podzielony jest na kilka mniejszych (tzw. boot sectors), służących do przechowywania istotnych danych. Dzięki takiemu rozwiązaniu pamięć jest efektywniej wykorzystana, natomiast istotne dane – właściwie zabezpieczone. Z kolei pamięci o jednakowej strukturze sektorów (uniform-sectored) doskonale nadają się do tworzenia dużych bloków pamięci.

W odróżnieniu od starszych modeli, pamięci FLASH firmy SPANSION nie wymagają użycia dodatkowego podwyższonego napięcia o wartości 12V w procesie kasowania i zapisu danych – odpowiednie napięcia wytwarzane są wewnątrz układu scalonego.

Pamięci FLASH mogą występować w strukturze NAND i NOR. Pamięci NOR są prostsze w konstrukcji, odznaczają się szybkim odczytem, ale wolnym zapisem i kasowaniem oraz mniejszą gęstością upakowania. Pełnią najczęściej rolę pamięci o dostępie swobodnym. Z kolei pamięci NAND, spotykane m.in. w kartach pamięci SD, oferują szybszy zapis i kasowanie oraz większe pojemności.